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藤平龙彦 博士

   

报告题目:SiC及逆导型IGBT对电动车驱动和电源的影响

报告人:藤平龙彦 博士,富士电机株式会社电子器件开发CTO

报告摘要:

节油和二氧化碳排放国家政策的加码迫使汽车厂开发和销售越来越多的电动车。功率半导体是开发高效驱动器和电源的关键器件。使用硅的逆导型IGBT已经开始了电动车生涯,紧接着是碳化硅。新器件时代正在开始,它们将会增加功率密度,减少体积、重量、材料,改善电气系统的效率,特别是碳化硅的影响将是令人激动的。

报告人简介:

藤平龙彦博士现出任富士电机株式会社电子器件开发首席技术执行官。他在功率半导体器件领域有超过30年的研究开发经历。例如IGBT,功率MOSFET,以及高压和高功率IC。他著有超过30篇论文,包括世界范围内第一次论及超结器件技术,并将其命名为超结(Superjunction)。 此外,他拥有超过100项发明专利,并获得过3项技术奖项。




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